背面金属化制程
Back Side Metallization Process
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厚银制程 (Thick Ag Process)
厚银制程 (Thick Ag Process)，在高真空的环境，利用电子束加热欲蒸镀之靶材，使靶材气化后附着在加热的晶片表面。
ProPowertek宜锦能为您做什么？
ProPowertek宜锦提供的厚银制程 (Thick Ag Process)，以蒸镀机为客户提供10um~15um，甚至最高可达40um的厚银制程。
厚银制程 (Thick Ag Process)流程
晶圆完成入站检验后 (IQC)，按照客户指示之种类及厚度进行靶材准备后，进入蒸镀机 (Evaporator) 沉积金属。完成金属沉积 (Metal Evaporation) 后，再接着，进行厚度量测后 (Measurement)，出站检验 (OQC)。
ProPowertek宜锦服务优势
▶ ProPowertek宜锦提供的蒸镀机，可达厚度40 um之厚银，为目前业界之冠。
▶ 提供双冷冻帮浦，提升金属成长高真空环境度。
▶ 靶材选择多样化，且可客制化。
▶ 工程师团队背景多元化，有来自前段晶圆代工厂、晶圆薄化专家、后段封装厂，熟悉前中后段之制程整合及分析，能协助客户快速开发、解决问题、稳定量产。
案例分享
厚银制程(Thick Ag Process)
Ti / Ni / Ag / Ni沉积后，藉由Cross Section观察，银的厚度达13.16um
应用范围
⏺︎ 现有厚度组合：10~20um己量产，可依客户需求进行厚度调整；25~40um开发中，可依客户需求进行开发及验证。
⏺︎ 相同原理可应用于厚铜制程，亦已开发完成，可提供客户进行验证。
⏺︎ 适用六吋、八吋、N型、P型晶圆。
⏺︎ 搭配Taiko Wafer可使Warpage降低是极佳的组合。
