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服务项目
“在前段晶圆代工厂完成晶圆允收测试(WAT)后， 进行封装 (Assembly)， 如何进行晶圆薄化与背金成长(BGBM)？“
“好不容易完成了晶圆薄化与背金成长(BGBM) ，但后续又得将晶圆运送到其他地方做CP和切割， 有没有一次就做到好的合作伙伴？“
ProPowertek 宜锦导入专业人才与先进制程， 协助您最短时间内完成晶圆薄化与背金增长(BGBM)
⏺︎ 多种研磨制程解决方案
⏺︎ 多种背金解决方案
⏺︎ 背银厚度达15um甚至可客制化到40um及多种正面金属制程解决方案
⏺︎ 完整而广泛的一站式服务
服务特色
⏺︎ 一站到位 (One-Stop) 服务
正面金属化制程
Front Side Metallization Process
正面金属化制程
Front Side Metallization Process
Front Side Metallization Process
背面研磨制程
Back Side Grinding Process
背面研磨制程
Back Side Grinding Process
Back Side Grinding Process
背面金属化制程
Back Side Metallization Process
背面金属化制程
Back Side Metallization Process
Back Side Metallization Process
IGBT晶圆后段制程
IGBT Wafer Backend Process
IGBT晶圆后段制程
IGBT Wafer Backend Process
IGBT Wafer Backend Process
⏺︎ 其他服务
后段制程完整解决方案
Turnkey Solution for Backend Process
后段制程完整解决方案
Turnkey Solution for Backend Process
Turnkey Solution for Backend Process
半导体制造流程
ProPowertek 宜锦科技结合创量科技(旧名:标准科技)，可提供从晶圆制程处理一路到后段CP、WLCSP与DPS一站式解决方案(参见图内绿底绿字)。
服务项目
⏺︎ 正面金属制程
化镀 / 无电镀
(Chemical / Electro-less Plating)
正面金属溅镀沉积
(Metal Sputtering Deposition)
⏺︎ 背面研磨制程
太鼓超薄研磨完整方案
(Taiko Grinding Total Solution)
晶圆薄化
(Wafer thinning/Non-Taiko Grinding/Conventional Grinding)
⏺︎ 晶圆切割制程
金属蒸镀沉积
(Metal Evaporation)
厚银制程
(Thick Ag Process)
背面金属溅镀沉积
(Back Side Metal Sputtering Deposition)
⏺︎ IGBT晶圆后段制程
IGBT背面金属溅镀沉积
(IGBT Back Side Metal Sputtering
Deposition)
晶背离子植入
(Backside Implantation)
雷射退火
(Laser Annealing)
⏺︎ AOI自动光学检测方案
晶圆AOI检测
(Wafer AOI inspection)
⏺︎ 晶圆切割制程
刀片切割
(Blade Dicing Process)
雷射切割
(Laser Dicing Process)
⏺︎ 晶圆测试制程
CP晶圆测试完整方案
(Wafer Testing Process)
测试平台与针测机种类
(Test Platformf)
⏺︎ 后段制程完整解决方案
搭配创量科技(旧名标准)提供多项服务，包括晶片切割、挑拣及最终测试，并可依客户需求，进行制程微调，为客户提供整合前段晶圆厂及后段Assembly 组装厂之制程解决方案。
